型号：M431-6/UM(真空及控制系统)
厂商：中国电子科技集团公司第四十八研究所
设备参数：
(1)采用011DC-PKG ASSY“Veeco”离子源，离子束直径11cm，最大束流350mA，束流能量50-1500eV。Ar工作气体，热解石墨双栅极配置，等离子桥中和器进行束流中和；
(2)样品台水冷且可实现旋转和倾斜，样品最大尺寸φ100mm，工艺过程中表面温度低于100℃，旋转0-9rpm，倾斜0-90°；刻蚀距离：150mm-160nm;
(3)系统极限真空度≤10-4Pa，腔体真空度5×10-4Pa；离子束工作真空度约5×10-4Pa；到达本底真空时间≤30min；
(4)离子源电源：由阴极、阳极、屏栅、加速栅、中和及耦合留个模块组成的全自动组合电源。
主要用途：
该设备采用物理刻蚀的方式，经过电场加速的离子束对任何材料实现各向异性的刻蚀，并可依倾角不同调整侧壁形貌和减少被溅射材料的再沉积污染。