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氧化/扩散炉
 

型号:M5111-2/VM

厂商:中国电子科技集团公司第四十八研究所 

 

性能指标:

 该设备为单管式结构,炉膛有效内径Φ180mm(适用于3²、4²硅片);

 恒温区长度及对应的精度:≤±1℃/400mm (801~1100℃)  ≤±1.5℃/400mm (400~800℃)

使用范围:

 该设备主要用于MEMS和半导体器件制造中硅材料的氧化/扩散,同时还适用于对其它材料的特殊温 度处理;

 
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