型号： JEM-F200
厂商：日本电子株式会社
设备参数
电子枪：冷场场发射电子枪
加速电压：20-200KV，
连续可调，步长50V
束流：≥ 2.5nA @ 0.7nm Probe Size
能量分辨率：≤ 0.3 eV
图像分辨率:
TEM点分辨率：≤ 0.23 nm
TEM线分辨率：≤ 0.10 nm
STEM暗场分辨率：≤ 0.16 nm
放大倍数：
TEM模式 ×20 - 2,000,000
STEM模式 ×200 - 150,000,000
标准双倾杆倾斜角度：X/Y ≥ ± 35°/± 30°
能量过滤分析系统:
能量分辨率: ≤ 0.5eV
图像畸变: ≤0.75%
能谱系统：
探测器有效面积：≥ 2×100 mm2
能量分辨率：≤ 133 eV
元素检测范围：B-U
主要用途：
除进行常规的材料内部显微形貌、结构、晶体结构、高分辨成像、晶体位向和物相分析外，还可以利用3D 重构软件对材料的三维结构进行重构；以及利用电子能量损失谱（EELS）表征不同原子及不同原子价态的分布。