型号：ME-3A
厂商：中国科学院微电子所（北京）
设备参数：
刻蚀材料：氧化硅、氮化硅及光刻胶灰化
光刻胶做掩模刻蚀选择比：3:1
不均匀性：<±5%（4英寸）
RF功率：150 W
射频源：13.56 MHz
真空度:10-2Pa
晶片尺寸：最大6 英寸
反应气体： O2、Ar、CHF3、SF6
主要用途：
利用能与被刻蚀材料起化学反应的气体，通过辉光放电使之形成等离子体，对基底表面未被掩蔽部分进行刻蚀。主要用于刻蚀氧化硅、氮化硅材料等，形成微纳米结构。