等离子体增强型化学气相沉积

型号：PD-220
厂商：日本Samco公司

设备参数：
    成膜范围直径大于200mm
    基板温度低至300度
    射频源：13.56MHZ
    气路：N2O,SiH4,NH3,N2
    清洗：CF4/O2混合气体
    样品尺寸：8英寸
    真空度：＜3×10-2Pa
    温度范围：＜300℃
    淀积材料：SiOx，SiNx，多晶硅

主要用途：

    该设备用于沉积SiOx，SiNx，多晶硅薄膜，所制薄膜可用于各种微器件电极钝化层或传感器与执行器的结构层。