型号：M5111-2/VM
厂商：中国电子科技集团公司第四十八研究所
设备参数：
（1）该设备为单管式结构，炉膛有效内径Φ180mm（适用于4英寸硅片）。
（2）反应气体：氧气，适用于干氧、湿氧氧化。
（3）保护气体：氮气
（4）恒温区长度及精度：
≤ ±1℃/400mm (801—1100℃) 、
≤ ±1.5℃/400mm (400—800℃)。
三点控温是SPIKE测量点都使用双热电偶，在一只热电偶断路时另一只能继续完成工艺，
（5）程序控制单元，气体/压力控制精度±0.5%。
（5）样品尺寸及片数，一次最多可以装载20片4英寸。
主要用途：
该设备主要用于MEMS和半导体器件制造中的氧化/扩散、退火吸杂和合金工艺，同时还适用于对其它材料的特殊温度处理。热氧化法是在高温下（900℃-1100℃）使硅片表面形成二氧化硅膜的方法，热氧化的目的是在硅片上制作出一定质量要求的二氧化硅膜，对硅片或器件起保护、钝化、绝缘、缓冲介质等作用。